Растровые электронные микроскопы

Термоэмиссионные микроскопы:

JIB 4000
JIB 4510
JASM 6200
JSM IT-500
JSM IT-300
JSM-IT100
JEOL JSM-6000PLUS (Neoscope II)

Микроскопы с полевой эмиссией:

JIB 4610F
JIB 4700F
JSM 7100F
JSM 7200F
JSM 7500F
JASM 7610F
JSM 7800F
JSM 7800F PRIME

Растровая электронная микроскопия (РЭМ) позволяет проводить изучение микроморфологии и тонкой структуры поверхности массивных образов с помощью сфокусированного электронного пучка, сканирующего поверхность образца. Некоторые модели РЭМ также имеют режим работы на просвет, таким образом «залезая» на традиционное поле просвечивающих электронный микроскопов, хотя и с ограниченными возможностями.

Благодаря меньшей, чем у света, длине волны электронов, растровый (сканирующий) электронный микроскоп позволяет изучать образцы с разрешением, в десять тысяч раз превосходящим разрешение самого совершенного светооптического микроскопа, поэтому с помощью РЭМ возможно изучение объектов нанометровых размеров.

Конструктивно РЭМ состоит из следующих основных частей: вакуумная система, электронно-оптическая колонна, источник электронов, блок электромагнитных линз, устройство формирования изображения, а также устройства для ввода, вывода и перемещения образца под электронным пучком. Пучок электронов падает на поверхность образца, взаимодействуя с веществом. Возникающие при этом отраженные и вторичные электроны, а также фотоны регистрируются соответствующими детекторами.

Современные РЭМ позволяют изучать как проводящие, так и непроводящие образцы, а оснащение микроскопа аналитическими приставками значительно расширяет возможности метода.

Растровая электронная микроскопия используется практически во всех областях науки и производства, исключая разве что филологию: в физике, биологии, материаловедении, химии, геологии, экологии, археологии, криминалистике и т.д., позволяя:

Компания TOKYO BOEKI поставляет самую широкую линейку растровых электронных микроскопов мирового лидера в этой области—компании JEOL Ltd. (Япония). Надежность и прекрасные технические параметры оборудования – вот отличительные особенности микроскопов JEOL в течение более, чем 65 лет производства.

ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ РАСТРОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ JEOL

Типы РЭМ
РЭМ с полевым катодом Системы с ионной пушкой РЭМ с термонакаливаемым катодом
JSM-7800F PRIME JSM-7800F JSM-7610F JSM-7200F JSM-7100F JSM-7500F JIB-4610F JIB-4000 JIB-4501 JSM-IT300 JSM-IT100 JCM-6000 JASM-6200
Параметры электронно-оптических систем
Источник электронов
Термополевой (Шоттки) Автоэмис-
сионный («холодный»)
Термо-
полевой (Шоттки)
- W / LaB6 W / LaB6 W W W
Ускоряющее напряжение (кВ)
0,01 - 30 0,01 - 30 0,1-30 0,01-30 0,1-30 0,1-30 0,2 - 30 1 - 30 0,3-30 0,3-30 0,5-20 5 / 10 / 15 10 / 20 / 30
Разрешение в режиме высокого вакуума (нм)
0,7 0,8 1,0 1,2 1,2 0,8 1,2 5 2,5 (LaB6)
3,0 (W)
2,5 (LaB6)
3,0 (W)
4,0 20 8,0
Разрешение в режиме низкого вакуума (нм)
1,5 - - 1,8 2 - - - 4,0 4,0 5,0 40 -
Ток пучка электронов
1пА – 500нА 1пА – 200нА 1пА – 200нА 1пА – 300нА 1пА – 200нА 1пА - 2нА 1пА – 200нА - 1пА – 1мкА 1пА – 1мкА 1пА – 1мкА    
Увеличение (крат), в пересчете на отпечаток 9х12см
25 – 1’000’000 25 – 1’000’000 25 – 1’000’000 10 – 1’000’000 20 – 1’000’000 200 – 300’000 20 – 1’000’000 60, 200 – 300’000 5 – 300’000 5 – 300’000 5 – 300’000 10 – 60’000 100 – 100’000
Источник ионов
- - - - - - Ga пушка - - - -
Ток пучка ионов
- - - - - - 0,5пА - 60нА - - - -
Аналитические возможности
ЭДС-анализ
-
-
ВДС-анализ
- - - -
- - -
ДОРЭ
-
- -
Катодолюминесценция
-
- -
Температурные исследования
-
-
Ионная резка и травление
- - - - - -
- - - -
Литография
- - -
Возможные применения
Физика
-
Химия
-
Биология
Материаловедение
-
Медицина
Геология
-
Криминалистика
-
Полупроводники
-

Обозначения:

- включено в базовый комплект
- рекомендовано к использованию (опционально)
- может быть использовано с ограничениями или после дополнительного согласования конфигурации
▬ - не может быть реализовано в данной модели