• JSM-7610F
  • Технические характеристики
  • Фотогалерея

JEOL JSM-7610F

JSM-7610F – это растровый электронный микроскоп с катодом Шоттки, сочетающий в себе мощную электронную пушку и объективную линзу открытого типа (semi-in-lens). Благодаря такой комбинации этот РЭМ одинаково хорош как для работы с диэлектриками или чувствительными к воздействию электронного луча образцами при малых ускоряющих напряжениях, так и для проведения экспериментов, требующих высоких токов пучка (элементного анализа с использованием спектрометра с волновой дисперсией, получения картин дифракции отраженных электронов, катодолюминесцентных исследований и т.п.).

JSM-7610F комплектуется шлюзовой камерой, что существенно снижает время замены образца, уменьшает загрязнение камеры образцов, нивелирует риск повреждения аналитических приставок из-за резких перепадов давления, продлевает срок службы катода и диафрагм в несколько раз, и в то же время не исключает возможность работы с большими образцами (до 200 мм в диаметре).

JSM-7610F является прекрасным инструментом для решения задач в области исследований наноматериалов, классического материаловедения, анализа качества металлургической продукции, медицины, биологии и др.

Основные преимущества:

• Стабильная, высоконадежная электронно-оптическая колонна JSM-7610F, использующая объективную линзу открытого типа, обеспечивает высокое разрешение (0,8 нм при 30 кВ в ПРЭМ-режиме и 1,0 нм при 15 кВ в режиме регистрации вторичных электронов);
• Термополевой катод, известный также как катод Шоттки, обеспечивает высокие (свыше 200 нА) и стабильные токи пучка, что позволяет использовать JSM-7610F и в качестве аналитического РЭМ;
• Специальная конструкция первой конденсорной линзы микроскопа позволяет намного более эффективно собирать эмитированные катодом электроны и обеспечивает длительный срок службы электронной пушки (более 3 лет);
• Доступность большого количества детекторов различных типов, в том числе LABE, RBEI, SEI, LEI. Низкоугловой детектор отраженных электронов (LABE) прекрасно работает при малых энергиях электронного пучка (вплоть до 100 эВ), позволяя получать информацию и об однородности состава, и о топологии поверхности образца, а также решает проблему с накоплением заряда на поверхности диэлектрических образцов;
• Встроенный в электронно-оптическую колонну r-фильтр позволяет либо разделять сигналы от вторичных и обратнорассеянных электронов, либо смешивать их между собой в заданных пропорциях;
• Линза, оптимизирующая угол вхождения пучка в диафрагму, существенно увеличивает долю электронов, достигающих поверхности образца, позволяя тем самым экономнее расходовать ресурс эмиттера;
• Режим торможения пучка (Gentle Beam), который замедляет электроны перед падением на поверхность образца, сильно снижает повреждения, наносимые пучком, а также позволяет избежать зарядки образцов с плохой электропроводностью;
• Доступность различных типов шлюзов позволяют выбрать оптимальный, включая шлюз с автосменщиком образцов;
• Устанавливаемая в камере образцов криогенная ловушка уменьшает загрязнение колонны при работе с испаряющимися под электронным пучком образцами и, тем самым, продлевает ресурс электронно-оптической колонны;
• Большая камера образцов позволяет работать с объектами диаметром до 200 мм, а также одновременно устанавливать множество разнообразных аналитических приставок (энергодисперсионный спектрометр, спектрометр с дисперсией по длинам волн, детектор дифракции отраженных электронов, детектор катодолюминесценции, рамановский спектрометр и т.п.)