Ion Slicer EM-09100IS для подготовки к исследованиям

Система Ion Slicer EM-09100IS предназначена для подготовки образцов к исследованиям в растровых и просвечивающих электронных микроскопах путем ионного утонения, без применения растворителя или химических реактивов.

Отличительной особенностью данного прибора является то, что он не требует приготовления диска, утоненного в центре. Предварительная пробоподготовка для Ion Slicer заключается лишь в изготовлении параллелепипеда размерами 2.8мм х 0.5мм х 0.1мм, который затем закрывается с тонкого широкого конца (рис. 2) специальной защитной лентой и утоняется пучком ионов аргона. Энергия пучка не превышает 8 кВ, а угол падения можно варьировать от 0? до 6? по отношению к наибольшей грани образца. Это позволяет минимизировать радиационные повреждения и, тем самым, сохранить исходные структуру и фазовый состав образца, а после этого изучить их методами электронной микроскопии.

Процедура пробоподготовки включает в себя следующие шаги:

1) Отрезка образца.

От исследуемого объекта должен быть отрезан образец длинной 2.8 мм и шириной 0.8 мм. Для этой процедуры оптимально использовать прецизионный отрезной станок Isomet изображенный с алмазным отрезным диском.

2) Утонение образца.

На следующем этапе требуется утонение образца до толщины 0.1 мм. Handy Lap (рис. 4), прекрасно подходит для этой цели. Для полировки можно использовать маленькое двухстороннее лезвие. Показателем того, что образец утоньшился до 0.1 мм и полировку можно останавливать, будет исчезновение окраски на лезвии.

3) Ионное утонение.

После того, как образец приведен к размерам 2.8 мм длины, 0.8 ширины и 0.1 толщины, он помещается в держатель и запускается процесс травления. Длительность травления, в среднем, составляет около двух часов и зависит от условий, в которых проводится обработка.

Процесс утонения контролируется по изображению, получаемому с CCD-камеры, и управляется при помощи персонального компьютера.

Ion Slicer крайне эффективен для обработки мягких материалов, неоднородных твердых растворов, минералов, композитов, керамик, пористых структур и т.п.