Растровые электронные микроскопы

Термоэмиссионные микроскопы:

JIB-4000 PLUS
JSM-IT500
JSM-IT200
JSM-7000

Микроскопы с полевой эмиссией:

JSM-7900F
JSM-7610F Plus
JSM-F100
JSM-IT500HR
JIB 4700F

Растровая электронная микроскопия (РЭМ) позволяет проводить изучение микроморфологии и тонкой структуры поверхности массивных образов с помощью сфокусированного электронного пучка, сканирующего поверхность образца. Некоторые модели РЭМ также имеют режим работы на просвет, таким образом «залезая» на традиционное поле просвечивающих электронный микроскопов, хотя и с ограниченными возможностями.

Благодаря меньшей, чем у света, длине волны электронов, растровый (сканирующий) электронный микроскоп позволяет изучать образцы с разрешением, в десять тысяч раз превосходящим разрешение самого совершенного светооптического микроскопа, поэтому с помощью РЭМ возможно изучение объектов нанометровых размеров.

Конструктивно РЭМ состоит из следующих основных частей: вакуумная система, электронно-оптическая колонна, источник электронов, блок электромагнитных линз, устройство формирования изображения, а также устройства для ввода, вывода и перемещения образца под электронным пучком. Пучок электронов падает на поверхность образца, взаимодействуя с веществом. Возникающие при этом отраженные и вторичные электроны, а также фотоны регистрируются соответствующими детекторами.

Современные РЭМ позволяют изучать как проводящие, так и непроводящие образцы, а оснащение микроскопа аналитическими приставками значительно расширяет возможности метода.

Растровая электронная микроскопия используется практически во всех областях науки и производства, исключая разве что филологию: в физике, биологии, материаловедении, химии, геологии, экологии, археологии, криминалистике и т.д., позволяя:

Компания TOKYO BOEKI поставляет самую широкую линейку растровых электронных микроскопов мирового лидера в этой области—компании JEOL Ltd. (Япония). Надежность и прекрасные технические параметры оборудования – вот отличительные особенности микроскопов JEOL в течение более, чем 65 лет производства.

ОСНОВНЫЕ МОДЕЛИ РАСТРОВЫХ ЭЛЕКТРОННЫХ МИКРОСКОПОВ JEOL

JSM-7900F JSM-7610FPlus JSM-F100 JSM-IT500HR JIB-4700F JIB-4000 Plus JSM-IT500 JSM-IT200 JCM-7000
Основные технические параметры
Ускоряющее напряжение (кВ) 0,01 - 30 0,1-30 0,01-30 0,5-30 0,2 - 30 1 - 30 0,3-30 0,5-30 5 / 10 / 15
Разрешение в режиме высокого вакуума (нм) 0,6 1,0 1,2 1,5 1,2 5 2,5 (LaB6)3,0 (W) 15
Разрешение в режиме низкого вакуума (нм) 1,5 1,8 1,8 4,0 20
Источник электронов Термополевой W / LaB6 W
Ток пучка электронов 1пА – 500 нА 1пА – 200 нА 1пА – 300 нА 1пА – 20 нА 1пА – 200 нА 1пА –1мкА 1пА –1мкА
Увеличение (крат) 25 – 1’000’000 25 – 1’000’000 10 – 1’000’000 20 – 600’000 20 – 1’000’000 60, 200 – 300’000 5 – 300’000 5 – 300’000 10 – 100’000
Источник ионов Ga пушка
Ток пучка ионов 0,5пА - 90нА 0,5пА - 60нА
Аналитические возможности
ЭДС-анализ
ВДС-анализ Δ
ДОРЭ
Катодолюминесценция
Температурные исследования Δ Δ Δ Δ Δ
Механические испытания Δ Δ Δ Δ Δ
Ионная резка и травление
Литография
Возможные применения
Физика
Химия
Биология Δ Δ Δ
Материаловедение
Медицина Δ Δ Δ
Геология
Криминалистика
Микроэлектроника

Обозначения:

- включено в базовый комплект
- рекомендовано к использованию (опционально)
- может быть использовано с ограничениями или после дополнительного согласования конфигурации
▬ - не может быть реализовано в данной модели
Jeol Oxford Gatan Bruker