• Описание
  • Спецификация
  • Применение

Система электронно-лучевой литографии JBX-9500FS

Эта система позволяет работать с подложками до 300 мм подложки и 6-дюймовыми масками. В дополнение к максимальной скорости сканирования 100 МГц, JBX-9500FS обеспечивает точность наложения ± 11 нм, точность сшивания поля ± 10 нм и точность позиционирования в пределах поля ± 9 нм, когда размер поля составляет 1000 мкм × 1000 мкм.

Поскольку JBX-9500FS использует 20 битное ЦАП позиционирования луча и 14 битное ЦАП сканирование, шаг сканирования получается с более высоким разрешением 0,25 нм для записи данных с шагом 1 нм.

Высокая скорость сканирования до 100 МГц позволяет JBX-9500FS поддерживать короткие шаги сканирования при экспонировании с большим током, повышая тем самым производительность даже в тех случаях, когда требуется высокоточное экспонирование рисунка.

Позиционная точность мирового уровня достигается с помощью системы LBC (управление лазерным лучом), которая обеспечивает минимальный шаг позиционирования луча с высоким разрешением 0,15 нм (λ / 4096).

Кроме того, уникальная функция автоматической калибровки (функция автоматической коррекции), разработанная компанией JEOL, обеспечивает высокую надежность и стабильность экспонирования в течение длительного периода времени. Время автоматической коррекции может быть установлено для каждого поля или каждого шаблона. Эта функция очень эффективна для длительной записи без оператора, например, в выходные или праздничные дни.

JBX-9500FS позволяет загружать подложки до 300 мм и 6-дюймовые маски, соответствуя таким образом, современным и передовым исследованиям, разработкам и производству в таких областях как наноимпринт, нанофотоника, устройства связи и т.д. Опционально, можно установить систему автоматической загрузки и перемещения кассет с подложкой до 10 кассет.

Использование программы точного управления шагом (Fine Pitch Control Program – это программа точной модуляции размера поля) позволяет JBX-9500FS изготавливать решетку с чирпированным периодом для инжекционного полупроводникового лазера.